Il Samsung 850 Evo da 1 Terabyte è ideale per aumentare lo spazio di archiviazione su desktop e notebook.
La linea Samsung 850 Evo rappresenta l’offerta con prezzi più accessibili rispetto alla linea 850 Pro ed è indirizzata a chi ricerca il massimo delle prestazioni. La linea 950 Pro, presente sul mercato da poco, ha innalzato il livello di prestazioni massime ottenibili, ma al momento le unità sono disponibili solo nel formato M.2; per questo motivo i prodotti della linea 850 sono ancora oggi le soluzioni proposte a chi cerca unità di archiviazione veloci in formato standard da 2,5 pollici.
Il disco 850 Evo da 1 Tbyte – oggetto di questa prova – è un taglio di capacità molto allettante perché fornisce a un prezzo interessante un’ottima capacità di archiviazione sia per computer portatili sia per quelli desktop.
Per contenere il prezzo dell’unità Samsung utilizza memorie Mlc (Multi Layer Cell) realizzate sfruttando la tecnologia proprietaria V-Nand, grazie alla quale il produttore sudcoreano riesce a produrre celle di memorie con un’elevata densità di archiviazione dati.
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[divider]Le caratteristiche tecniche di specifica di questa unità parlano di velocità di scrittura e lettura sequenziali rispettivamente di 520 Mbyte/s e 540 Mbyte/s. Non si tratta delle migliori prestazioni disponibili oggi sul mercato, ma sufficienti a fornire miglioramenti sensibili a chi utilizza unità Ssd di vecchia generazione così come a chi utilizza ancora dischi di tipo magnetico.
Il test Aja ha rilevato velocità di scrittura e lettura sequenziale prossime ai 500 Mbyte/s. Queste cambiano in modo radicale l’esperienza di utilizzo rispetto a un disco magnetico ad alta capacità .
Nei test eseguiti in laboratorio abbiamo rilevato una velocità di scrittura sequenziale reale che si attesta a 479 Mbyte/s e una di lettura pari a 496 Mbyte/s. L’unità è però in grado di raggiungere le prestazioni dichiarate quando si passa a operazioni di lettura e scrittura di tipo casuale con accodamento profondo di istruzioni e dati in lettura e scrittura.
La tecnologia Samsung
Alla base delle unità di archiviazione Samsung allo stato solido troviamo la tecnologia V-Nand (Vertical Nand) introdotta nel corso del 2013. A differenza della tecnologia tradizionale Mosftet floating gate che memorizza l’informazione negli elettroni presenti all’interno del gate metallico del transistor – questo costituisce la singola cella di archiviazione – quella V-Nand utilizza l’approccio denominato Ctf (Charge Trap Flash): in questo caso l’informazione è immagazzinata all’interno dello strato isolante tra il canale conduttivo e il gate, invece che in quest’ultimo. Tale soluzione permette di ottenere una maggiore resistenza ai cicli di programmazione della cella e permette anche una riduzione delle dimensioni della cella stessa.
Le prestazioni si mantengono elevate al variare della dimensione dei pacchetti dati trasmessi.
La tecnologia V-Nand permette inoltre di cambiare anche la struttura vera e propria della cella che da planare diventa a sviluppo tridimensionale: il canale del transistor da planare diventa cilindrico e lo strato di isolante lo circonda in modo completo, così come il gate che a sua volta circonda esternamente lo strato isolante; in pratica ogni singola cella passa da una struttura a piani sovrapposti a una che utilizza strutture cilindriche concentriche.
Questo permette di aumentare la superficie di contatto tra i diversi livelli, di diminuire l’energia necessaria ad attivare la cella stessa e di incrementare lo spazio che immagazzina le cariche elettriche con il risultato di migliorare sia la resistenza sia le prestazioni di ogni singola cella. La particolare struttura consente inoltre di adottare un nuovo metodo di impacchettamento delle celle: grazie alla struttura cilindrica è possibile impilare più strati – un po’ come infilare delle perline in un filo – delle nuove celle con il vantaggio di poter incrementare la densità a parità di superficie in pianta del chip di silicio; ogni serie di 32 celle ha infatti uno sviluppo verticale rispetto al piano del die in silicio, da qui la denominazione di Nand verticale.
Nel complesso quest’unità rappresenta un’ottima scelta per chi è alla ricerca di un disco Ssd veloce e capiente. Il prezzo al dettaglio presso i negozi online si attesta intorno ai 350 euro e quindi molto al di sotto del prezzo di listino e del prezzo di mercato di inizio anno, quando era necessario spendere circa 500 euro per acquistare la medesima unità .
Michele Braga
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Samsung 850 Evo 1 TB
Euro 350 Iva inclusa
+ PRO
Capienza elevata
Ottimo rapporto tra caratteristiche e prezzo
Velocità di trasferimento dati elevate
– CONTRO
Nessun elemento da segnalare
Produttore: Samsung, www.samsung.it