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Da Samsung Gddr5 da 6 Gbit al secondo

Davide Piumetti | 3 Dicembre 2007

Lo scontro tra i produttori di memoria, nella fattispecie i colossi Hynix e Samsung, continua senza sosta, con annunci a ripetizione di prodotti sempre più performanti; il tutto a vantaggio dell’utente. Hynix è stata la prima società  a presentare le memorie Dram Gddr5 da 1 Gbit, mentre Samsung vince la sfida della velocità  proponendo chip da 512 Mbit con tranfer rate di 6 Gbit al secondo.

Lo scontro tra i produttori di memoria, nella fattispecie i colossi Hynix e Samsung, continua senza sosta, con annunci a ripetizione di prodotti sempre più performanti; il tutto a vantaggio dell’utente.

Hynix Gddr5Hynix è stata la prima società  a presentare le memorie Dram Gddr5 da 1 Gbit, mentre Samsung vince la sfida della velocità  proponendo chip da 512 Mbit con tranfer rate di 6 Gbit al secondo. La nuova ram grafica funzionerà  a 1,5 Volt, e permetterà  un notevole incremento prestazionale rispetto alle Gddr3 e Gddr4 utilizzate attualmente.

Samsung Gddr5“La memoria Gddr5 da 512 Mbit di Samsung consentirà  all’hardware grafico prestazioni tali da spronare gli sviluppatori di software a produrre giochi sempre più realistici”, ha dichiarato Mueez Deen, responsabile del marketing per le memorie grafiche di Samsung.

I primi campioni di chip Gddr5 sono già  stati consegnati, ma la produzione di massa è prevista per il primo semestre del 2008. I primi prodotti commerciali ad utilizzarla saranno dunque le schede grafiche di fascia alta della prossima generazione, quando la necessità  di banda passante con la memoria sarà  certamente superiore all’attuale.

Fonte: Tcmagazine.

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