Intel, Samsung e la fonderia taiwanese Tsmc hanno appena siglato un accordo comune per lo sviluppo di nuovi impianti di produzione per wafer di silicio da 450 mm di diametro.
![wafer_spin.jpg](https://www.pcprofessionale.it/stappro61/uploads/2008/05/wafer_spin.jpg)
Rispetto ai wafer utilizzati attualmente, del diametro di 300 mm e introdotti nel 2001, la nuova tecnologia permetterà di ricavare circa il doppio dei chip; riducendo notevolmente i costi e aumentando i volumi produttivi.
L’accordo prevede l’inizio della produzione per il 2012, con un processo produttivo dei chip a 22 nm, un paio di generazioni avanti rispetto ai 45 nm che oggi rappresentano lo stato dell’arte.