Intel, Samsung e la fonderia taiwanese Tsmc hanno appena siglato un accordo comune per lo sviluppo di nuovi impianti di produzione per wafer di silicio da 450 mm di diametro.
Rispetto ai wafer utilizzati attualmente, del diametro di 300 mm e introdotti nel 2001, la nuova tecnologia permetterà di ricavare circa il doppio dei chip; riducendo notevolmente i costi e aumentando i volumi produttivi.
L’accordo prevede l’inizio della produzione per il 2012, con un processo produttivo dei chip a 22 nm, un paio di generazioni avanti rispetto ai 45 nm che oggi rappresentano lo stato dell’arte.