Intel, Samsung e Tsmc insieme per i wafer da 450 mm

Intel, Samsung e la fonderia taiwanese Tsmc hanno appena siglato un accordo comune per lo sviluppo di nuovi impianti di produzione per wafer di silicio da 450 mm di diametro.

 

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Rispetto ai wafer utilizzati attualmente, del diametro di 300 mm e introdotti nel 2001, la nuova tecnologia permetterà  di ricavare circa il doppio dei chip; riducendo notevolmente i costi e aumentando i volumi produttivi.

L’accordo prevede l’inizio della produzione per il 2012, con un processo produttivo dei chip a 22 nm, un paio di generazioni avanti rispetto ai 45 nm che oggi rappresentano lo stato dell’arte.

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