Samsung ha annunciato l’avvio della produzione di massa dei primi chip DRAM LPDDR5 da 16 Gb nella fabbrica di Pyeongtaek (Corea del Sud). Il produttore coreano ha utilizzato una tecnologia di processo più evoluta rispetto a quella impiegata per i precedenti chip, in modo da ridurre lo spazio occupato all’interno dei dispositivi, ottenendo inoltre un incremento delle prestazioni. Quasi certamente i moduli da 16 GB verranno integrati nei futuri Galaxy S30.
Samsung aveva comunicato a febbraio l’avvio della produzione di massa per le DRAM basate sulla seconda generazione della tecnologia a 10 nanometri (1y). Il processo produttivo è stato ulteriormente migliorato in circa sei mesi e ora la terza generazione (1z) viene sfruttata per realizzare i nuovi chip. La DRAM LPDDR5 da 16 Gb è la prima memoria al mondo prodotta con la litografia EUV (extreme ultraviolet).
L’avanzamento tecnologico ha permesso di raggiungere una velocità di trasferimento dati pari a 6.400 Mbps, circa il 16% superiore a quella (5.500 Mbps) dei chip da 12 Gb integrati nella maggioranza dei dispositivi di fascia alta sul mercato. Ciò significa che dieci video da 5 GB con risoluzione full HD possono essere trasferiti in un secondo.
L’uso della nuova tecnologia di processo (1z) consente anche di ridurre del 30% lo spessore del package. Per ottenere un modulo da 16 GB occorrono solo 8 chip da 16 Gb, mentre con la precedente versione della tecnologia (1y) servono 12 chip (8 da 12 Gb e 4 da 8 Gb) per avere la stessa capacità.
La DRAM LPDDR5 da 16 GB troverà posto negli smartphone di fascia alta che arriveranno sul mercato nel 2021. È previsto anche l’uso dei moduli nel settore automotive, in quanto soddisfano gli standard richiesti.