Toshiba annuncia la realizzazione di una nuova linea di celle di memoria flash Slc con processo produttivo a 43 nm, il più raffinato al momento disponibile, in attesa dei futuri (e prossimi, secondo le indiscrezioni) 30 nm di Samsung.
I moduli, che vedete ritratti, sono disponibili in sedici diverse capacità , da 512 Mbit a 64 Gbit (da 64 Mbyte a 8 Gbyte). Questi chip permetteranno la costruzione di dispositivi Ssd estremamente veloci a un prezzo più contenuto rispetto a oggi, in abbinamento a capacità massime (dato il taglio da 8 Gbyte) finalmente davvero degne di nota.
I dati prestazionali non sono stati forniti in via ufficiale, dato che le velocità di scrittura e lettura dipendono in parte anche dagli algoritmi utilizzati dai controller degli Ssd. Un solo dato è certo: il tempo di accesso ai dati è di 40 microsecondi, un centinaio di volte inferiore rispetto al miglior disco tradizionale in commercio.