Dal produttore sudcoreano arriva un nuovo Ssd dedicato al mercato di ingresso dei dischi allo stato solido.
Anteprima di Davide Piumetti
Articolo tratto da PC Professionale 246 di settembre 2011
Il mercato dei semiconduttori – e in particolare quello dei chip di memoria per i dischi Ssd – ha due grandi protagonisti: Micron e Samsung. Se il primo produttore ha da sempre affiancato i propri prodotti all’attività principale di fornitura a terzi delle memorie, per Samsung le cose si sono evolute negli anni in maniera differente.
Inizialmente entrata nel settore degli Ssd solo come produttore di celle flash si è in seguito spinta a proporre soluzioni commerciali direttamente ai produttori hardware, che le integravano nativamente all’interno dei personal computer o, in gran parte, nei Macintosh Apple. Oggi, dopo qualche tentativo caratterizzato da una scarsa convinzione, Samsung entra prepotentemente nel segmento retail proponendo un Ssd che va a occupare la fascia media del mercato, con l’obiettivo dichiarato di andare a rappresentare quanto i consumatori chiedono da tempo: un Ssd veloce e con un prezzo adeguato al momento.
Il disco, battezzato Samsung 470, utilizza la connettività Sata II ancora diffusissima e un controller di progettazione Samsung chiamato S3C29MAX01 costruito su tre core Arm dedicati, accompagnato da due moduli Dram Ddr2 da 128 Mbyte ciascuno come cache dati. I due moduli in grado di lavorare in parallelo sono una delle caratteristiche nuove del prodotto, che gli consentono un buon incremento prestazionale in molte condizioni operative. Il disco è progettato in maniera attenta e volutamente conservativa; le dimensioni del Pcb sono infatti molto inferiori a quelle del case esterno, e tali da poter essere inserite anche negli involucri da 1,8 pollici.
Le celle di memoria, di produzione interna Samsung, sono dei modelli Mlc a 32 nm che utilizzano la tecnologia Toggle Ddr Nand sviluppata dalla stessa casa coreana. Nella pratica queste celle operano a una tensione ridotta (1,8 volt) rispetto alle tradizionali e utilizzano internamente dei meccanismi di derivazione Ram Ddr per incrementare la loro velocità .
Queste celle sono garantite per operare con un’interfaccia di 133 Mbit/s ciascuna, che equivalgono a quasi 20 Mbyte/s. Le sedici celle presenti da 8 Gbyte ciascuna (da 16 Gbyte sul modello da 256 Gbyte e otto da 8 Gbyte su quello da 64) sono suddivise asimmetricamente per ragioni di pulizia del layout: sul lato del controller si trovano 7 celle, su quello opposto sono invece 9. Le prestazioni dichiarate da Samsung sono notevoli: il disco dovrebbe offrire una velocità in lettura e scrittura sequenziali di 250 e 220 Mbyte/s, con il solo modello da 64 Gbyte che scende a 170 Mbyte/s in scrittura. Nei nostri test, effettuati su una piattaforma di ultima generazione sul disco Samsung 470 da 128 Gbyte, ci siamo stupiti dalla differenza tra i dati reali e quelli teorici, decisamente troppo conservativi. Il disco ha raggiunto i 268 Mbyte/s in lettura e i 258 Mbyte/s in scrittura, superando le previsioni di Samsung. I dati più interessanti emergono però come al solito dalle velocità di trasferimento casuali con file di dimensioni diverse, con valori molto elevati in ogni ambito. Solo in scrittura casuale con file molto piccoli la velocità di trasferimento scende un po’, mantenendosi comunque su livelli più che accettabili.
Il disco, con un prezzo per Gbyte medio di circa 2 euro, ha un rapporto prezzo/prestazioni nella media dei concorrenti. Nelle nostre consuete verifiche abbiamo però notato come si possa trovare sul mercato a prezzi più ragionevoli, rendendolo decisamente appetibile.