Samsung presenta nuovi chip di memoria Ddr3 a 50 nm, per banchi fino a 16 Gbyte

Samsung ha annunciato di aver avviato la produzione dei primi prototipi di memoria Ddr3 costruita con processo produttivo a 50 nm, un valore solo di poco superiore ai 45 nm utilizzati da Intel per i propri processori.

Il nuovo processo permetterà  di produrre memorie di densità  doppia e con una migliore efficienza dal punto di vista energetico rispetto alle attuali, con una riduzione di potenza richiesta di circa il 40%. Nonostante la novità  le stime di Samsung indicano inoltre miglioramenti nell’ordine del 60% per quanto riguarda l’efficienza produttiva, affermando che i nuovi moduli saranno molto più semplici da costruire rispetto ai precedenti.

L’elevata densità  dei transistor ha permesso all’azienda coreana di costruire i primi prototipi da 2 Gbit, con densità  doppia rispetto ai migliori oggi sul mercato, “fermi” a 1 Gbit. (stiamo parlando dei singoli chip di memoria, non dell’intero banco di Ram, che ne integra un numero variabile tra 8 e 32).

 

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Un modulo Samsung Sodimm con 8 chip di memoria per lato

I nuovi moduli permetteranno quindi di avere moduli Rimm (Registered In-line Memory Modules) di dimensioni massime di 8 Gbyte, Sodimm da 4 Gbyte e, con soluzioni particolari dual-die fino a 16 Gbyte per modulo utilizzabile in ambito server.

Queste sono le dimensioni massime, ottenute con moduli particolari e che difficilmente si troveranno subito in commercio. Come tutte le generazioni di Ram i tagli saranno inizialmente pari alla metà  di quelli indicati, con un passaggio futuro (in base ai prezzi) ai valori massimi espressi.

La produzione di massa inizierà  entro un paio di mesi, mentre la commercializzazione effettiva è attesa per il periodo natalizio.

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