Toshiba ha annunciato di aver cominciato il sampling delle proprie celle di memoria con tecnologia 3D. Nel corso dei prossimi mesi il mercato ora dominato da Samsung vedrò l’ingresso di un nuovo protagonista.

L’approccio costruttivo utilizzato da Toshiba è denominato BiCS (Bit Cost Scalable) sarebbe simile a quello già  impiegato da Samsung con la tecnologia Charge Trap Flash, ma nel caso di Toshiba il layer deputato alla cattura delle cariche (le informazioni) è un materiale conduttivo invece che di tipo isolante.

Le celle Toshiba permettono al momento di impilare 48 livelli contro i 32 livelli delle celle Samsung V-Nand (Vertical Nand) e garantiscono una maggiore densità .

CONDIVIDI

Giornalista con background in Ingegneria Aerospaziale. Appassionato di tecnologia, fotografia e viaggi nelle terre fredde.