Nell’attesa dell’arrivo dei computer quantistici, oggi vogliamo parlarvi di una interessante novità che ci giunge direttamente dagli Stati Uniti, e più precisamente dall’Università della California dove, un gruppo di ricercatori del Lawrence Berkeley National Laboratory è riuscito a realizzare dei transistor contraddistinti dallo spessore di un solo atomo, così come ha riportato la rivista Nature Nanotechnology.
Il risultato di questo gruppo di ricercatori ha una valenza davvero di primo piano per il mondo dell’elettronica, considerando come grazie a questi transistor ultrasottili si potranno verosimilmente realizzare dei device molto più slim rispetto a quelli presenti attualmente sul mercato. Questi semiconduttori sono stati realizzati con un foglio di grafene sul quale è stata stimolata chimicamente la crescita di un metallo di transizione.
I due materiali impiegati per la realizzazione di questi transistor ultrasottili sono in sostanza dei cristalli ad unico strato, contraddistinti da un spessore ridotto ad alcuni atomi e, unendo gli stessi, è stato così possibile dare vita ad una cosiddetta struttura elettronica bidimensionale. Questo risultato ha permesso di superare i limiti del silicio in termini di spessore e complessità dei circuiti.
Come ha avuto modo di sottolineare Xiang Zhang, coordinatore del progetto di ricerca, in futuro potremo vedere sul mercato device con spessori molto ridotti o, al contrario, avremo la possibilità di acquistare degli apparecchi che, a parità di spessore, assicureranno delle performance di calcolo nettamente superiori rispetto a quelle odierne.