Samsung V-NAND di quinta generazione

Samsung, via alla produzione dei chip V-NAND di quinta generazione

Il colosso sudcoreano ha annunciato l’avvio della produzione della sua nuova tecnologia di memoria, con un balzo generazionale in grado di aumentare sensibilmente le prestazioni senza sovrapprezzo o consumi maggiorati

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Dalla Newsroom di Samsung arriva l’annuncio dell’arrivo prossimo venturo dei chip V-NAND di quinta generazione, una tecnologia di memoria caratterizzata dall’adozione di nuovi standard, prestazioni migliorate e consumi ridotti. I chip NAND tridimensionali di Samsung crescono ancora, arrivando a includere 90 strati contro i 64 della generazione precedente.

Attesi inizialmente al debutto in un package con capacità da 256 gigabit (32GB), i chip V-NAND di quinta generazione rappresentano secondo Samsung le prime memorie ad adottare la nuova interfaccia “Toggle DDR 4.0”, standard caratterizzato da una velocità di trasferimento per chip pari a 1,4 Gbps – un incremento del 40% rispetto alle prestazioni dei chip a 64 strati.

Le prestazioni aumentano ma l’efficienza energetica resta “comparabile” ai V-NAND di quarta generazione, sostiene Samsung, poiché il voltaggio operativo è stato ridotto da 1,8 volt a 1,2 volt. Non solo: la corporation asiatica è riuscita ad assottigliare ulteriormente gli strati di memoria (-20%), quindi una maggiore densità non equivale a uno spessore dei chip eccessivamente maggiorato.

Migliorata risulta poi la velocità di scrittura (+30%), con la registrazione dei valori dei singoli bit che raggiunge picchi di 500 microsecondi; ogni nuovi chip V-NAND include 85 miliardi di celle di memoria in grado di “intrappolare” la carica elettrica corrispondente ai suddetti bit, e ogni cella è in grado di ritenere tre bit di dati per volta.

Samung ha già avviato la produzione di massa delle memorie V-NAND di quinta generazione, una produzione che ora risulta più efficiente del 30%. I futuri SSD ultra-veloci non dovrebbero insomma costare molto di più di quelli attuali, anche se al momento non è dato sapere il periodo di arrivo della nuova tecnologia di storage sul mercato.

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