Samsung - Nitruro di boro amorfo

Samsung scopre un nuovo materiale per semiconduttori

Samsung ha scoperto il nitruro di boro amorfo, un materiale con struttura esagonale che potrebbe essere utilizzato per produrre DRAM e NAND.

I ricercatori del Samsung Advanced Institute of Technology (SAIT) ha comunicato la scoperta di un nuovo materiale, in collaborazione con Ulsan National Institute of Science and Technology (UNIST) e Università di Cambridge. Il nitruro di boro amorfo (a-BN) potrebbe consentire lo sviluppo di una nuova generazione di semiconduttori, in particolare DRAM e NAND.

Da qualche anno, il SAIT è impegnato nella ricerca e sviluppo di materiali bidimensionali, ovvero materiali cristallini con un singolo strato di atomi. In particolare i ricercatori di Samsung hanno realizzato un transistor di grafene, denominato barristore, e sviluppato un metodo per produrre grafene su larga scala con wafer a singolo cristallo. Per utilizzare gli stessi processi impiegati per i semiconduttori di silicio è tuttavia necessario che la crescita del grafene su substrati semiconduttori avvenga ad una temperatura inferiore a 400° C.

Il nuovo materiale permetterebbe di raggiungere questo obiettivo. Il nitruro di boro scoperto da Samsung, formato da atomi di boro e azoto disposti in una struttura esagonale, deriva dal grafene bianco, ma a differenza di quest’ultimo è amorfo, non cristallino. Ciò consente di ottenere wafer con temperature di soli 400° C. Grazie alla sua costante dielettrica di 1,78 e alle notevole proprietà elettriche e meccaniche, il nuovo materiale può essere usato come isolante per le interconnessioni con minime interferenze elettriche.

Una possibile applicazione del nitruro di boro amorfo è nella realizzazione di semiconduttori come DRAM e NAND. Un vero cambio di paradigma si avrà solo quando i nuovi materiali potranno essere realizzati con gli attuali processi produttivi usati per i semiconduttori di silicio.

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