Samsung V-NAND di quinta generazione

Toshiba, 6 exabyte di chip NAND Flash perduti a causa di un guasto

La corporation giapponese ha di recente subito un’improvvisa perdita di energia in una delle sue fabbriche, incidente in conseguenza del quale potrebbero esserci contraccolpi per l’intero mercato delle memorie a stato solido.

Un blackout temporaneo a un impianto produttivo di Toshiba Memory Corporation potrebbe avere importanti conseguenze per il business delle memorie NAND Flash, un settore che da tempo conosce una sostanziale riduzione dei prezzi ma che ora potrebbe mutare improvvisamente rotta. I calcoli sono ancora in corso, mentre Western Digital (WD) – che gestisce l’impianto in partnership con Toshiba, ha già parlato di una produzione di chip ridotta di almeno 6 exabyte.

Il guasto è avvenuto nella struttura produttiva presente nella regione dello Yokkaichi, in Giappone, e ha influito negativamente sia sull’impianto in sé che sui delicati e complessi macchinari utilizzati per la produzione vera e propria di chip NAND Flash. L’evento si è verificato il 15 giugno scorso, e la struttura non potrà tornare alla piena operatività prima della metà di luglio.

Toshiba

Stando ai numeri forniti da WD, in seguito all’incidente la produzione di memorie si ridurrà di circa 6 exabyte – vale a dire 6 milioni di terabyte; finanziariamente parlando, gli effetti della contrazione si faranno sentire nel primo trimestre dell’anno fiscale 2020 della corporation. Di conseguenza, la spirale discendente dei prezzi di SSD e altri prodotti a base di NAND Flash dovrebbe quantomeno arrestarsi se non tornare nuovamente a crescere.

In realtà le stime di WD potrebbero essere arrotondate per difetto, e le conseguenze del guasto sull’intero mercato delle NAND Flash sono ancora tutte da valutare: alcune stime parlano di una riduzione nella produzione globale di memorie Flash pari al 25% tra agosto e ottobre, mentre per quanto riguarda la produzione di chip NAND in capo a Toshiba si potrebbe arrivare a perdite pari a 9 exabyte.

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